A. T1T2期~||~T2T3期~||~T2期~||~T3期~||~T4期

A. 要求靶区及周围重要器官的三维空间定位~||~可以给予一次大剂量~||~可以给予分次剂量~||~整个过程需要立体定位框架~||~精确的正逆向算法的TPS

A. 提供被加速的电子~||~可由钍钨材料制成~||~电子枪一直热式间接式和宏基式三种~||~电子枪可由氧化物制成~||~电子枪可永久使用

A. 易疲劳，易动，不利于体位固定~||~因双肩受力不同，肩高低不易一致~||~肩颈关系不舒服易扭转~||~颈部皮肤松软因伸缩扭曲使体表野与事实野不相符合~||~照射方法简单，不受设备限制

A. 蕈伞型与腔内型，缩窄型~||~蕈伞型与腔内型，髓质型~||~髓质型与腔内型，缩窄型~||~缩窄型与蕈伞型，腔内型~||~溃疡型与蕈伞型，髓质型

A. 1~2周~||~2~4周~||~5~6周~||~8周~||~12周~||~斯德哥尔摩法巴黎法曼彻斯特法~||~斯德哥尔摩法Heyman填塞法巴黎法~||~斯德哥尔摩法Heyman填塞法曼彻斯特法~||~斯德哥尔摩法北京镭容器治疗法巴黎法~||~巴黎法Heyman填塞法曼彻斯特法

A. 硬件的完整性~||~硬件工作的可靠性~||~计划系统功能正常~||~系统软件齐备~||~完成计划时间长短

A. 源皮距~||~源片距~||~源限距~||~铅挡块高度~||~体表需挡的宽度

A. 宫腔源顶端旁开2cm~||~穹窿上2cm，子宫中轴外2cm~||~穹窿上2cm，子宫中轴外5cm~||~穹窿上5cm，子宫中轴外2cm~||~穹窿上2cm，子宫中轴外3cm

A. 热水冲洗~||~用力擦搓~||~用肥皂或洗浴液清洗~||~每天清洗多次~||~只用温凉水冲洗

A. 全乳腺+内乳淋巴结~||~全乳腺+内乳和锁骨上淋巴结~||~全乳腺+内乳腋窝锁骨上淋巴结~||~单纯全乳腺照射~||~全乳腺+腋窝淋巴结照射

A. 直接杀伤比例较高~||~间接杀伤低~||~相对生物效应(RBE)大~||~对剂量改变的影响不显著~||~氧增强比较低

A. 靶区(病变)一致~||~照射区一致~||~治疗区一致~||~临床靶区一致~||~以上都错

A. 3000cGy~||~4000cGy~||~6000cGy~||~8000cGy~||~9000cGy

A. 6个~||~8个~||~10个~||~12个~||~13个

A. 铅玻璃窗~||~过流保护~||~床旁连锁~||~过热保护~||~高压连锁

A. 一次大剂量照射所需的剂量上不去~||~一次照射正常组织损伤太大~||~分次照射可以用大的总剂量，更好地杀伤肿瘤~||~分次照射可以根据病人具体情况及时调整治疗方案~||~肿瘤细胞的乏氧和有利于正常组织的修复

A. 声门上区有会厌，会厌披裂皱襞披裂喉室~||~声门区有声带，假声带~||~声门下区有环状软骨~||~声门区淋巴引流不多~||~声门上区和下区淋巴引流丰富

A. 8MeV–10MeV~||~10MeV–12MeV~||~14MeV–15MeV~||~16MeV–17MeV~||~18MeV–19MeV

A. 腹主动脉旁淋巴结+同侧髂血管淋巴结+纵膈淋巴结区~||~腹主动脉旁淋巴结+同侧髂血管淋巴结+纵膈淋巴结区+左锁骨上区~||~腹主动脉旁淋巴结+同侧髂血管淋巴结+腹股沟巴结区~||~腹主动脉旁淋巴结+同侧髂血管淋巴结~||~腹主动脉旁淋巴结+纵膈淋巴结区