A. 源强大于20Ci~||~后装技术~||~源微型化~||~远距离控制~||~微机涉及治疗计划

A. 20cm~||~25cm~||~30cm~||~35cm~||~40cm

A. 脊髓~||~喉~||~脑干~||~眼睛~||~口咽关节

A. 补偿器~||~楔形板~||~面罩~||~腔内放置等效填充物~||~铅挡块

A. 韦氏环及颈淋巴结~||~胃肠道~||~腹腔淋巴结~||~A+B~||~A+B+C

A. 0MW–1MW~||~1MW-5MW~||~3MW–10MW~||~5MW–30MW~||~7MW–50MW

A. 10cm以上~||~12cm以上~||~15cm以上~||~18cm以上~||~20cm以上

A. 肿瘤中心等于等中心~||~以肿瘤中心为圆心，以治疗机源轴距为半径进行给角照射~||~只要肿瘤中心位等于等中心，机架转角误差不回改变肿瘤中心位置~||~最重要的是升床高度一定要准确~||~照射野升床高度不同

A. MV~||~MeV~||~KV~||~半价层~||~同位素符号

A. 钴—60治疗机~||~直线加速器X线~||~直线加速器电子线~||~深部治疗机X线~||~以上都不是

A. 转机架角~||~升床~||~调小机头~||~旋转床~||~调面积

A. 源皮距~||~机架角~||~体位~||~射野中心~||~都会影响

A. 27~||~28~||~30~||~32~||~33

A. 能量高深度量大皮肤剂量高半影大~||~能量高深度量小皮肤剂量低半影大~||~能量高深度量大皮肤剂量低半影小~||~能量高深度量小皮肤剂量高半影小~||~能量相似深度量大皮肤剂量高半影小

A. 盆腔体外照射~||~半量盆腔体外照射~||~全量腔内照射~||~用阴道盒或组织间插植照射，消除或缩小肿瘤~||~以上治疗方案均不恰当

A. 50KV/cm~||~100KV/cm~||~140KV/cm~||~180KV/cm~||~200KV/cm

A. 照射时间~||~分割次数~||~受照射体积~||~剂量率~||~受照射深度

A. 直线放射器4~8MVX线钴-60放射机~||~铱-192后装机~||~电子线放射~||~深部X线放射~||~碘-125插植

A. 皮肤剂量Ds上升，建成深度变深，深度剂量增加~||~皮肤剂量Ds下降，建成深度变浅，深度剂量增加~||~皮肤剂量Ds下降，建成深度变深，深度剂量增加~||~皮肤剂量Ds上升，建成深度变浅，深度剂量增加~||~皮肤剂量Ds不变，建成深度变深，深度剂量增加

A. n2~||~2n~||~2n2~||~4n2~||~2n4